(NC&T) Los materiales ferroeléctricos permiten el uso de una memoria electrónica de bajo consumo energético y alta eficiencia. Las tarjetas inteligentes cuentan gracias a ellos con la tecnología apropiada para revelar y actualizar instantáneamente la información almacenada, cuando se las coloca en un aparato lector. Un ordenador con dicha capacidad podría brindar inmediatamente datos al usuario.
Un equipo de investigadores, con el apoyo de la Fundación Nacional para la Ciencia (NSF) en Estados Unidos y tres universidades, la Cornell, la Estatal de Pensilvania y la del Noroeste, añadió recientemente la capacidad ferroeléctrica al material utilizado en los transistores de los ordenadores comunes, una hazaña que la comunidad científica intentó durante más de medio siglo.
Este avance podría preparar el camino para una próxima generación de dispositivos de memoria de bajo consumo, alta velocidad y más prácticos de usar. Para las personas que usan ordenadores a diario, significaría el fin de la espera para que el sistema operativo se cargue completamente, o el fin del acceso lento a los datos guardados en el disco duro.
Se necesita investigar más para lograr un transistor ferroeléctrico que haga de los ordenadores de encendido instantáneo una realidad, pero el haber logrado poner en contacto directo los materiales necesarios, sin las capas mediadoras de reacción, es un paso muy importante hacia esa meta.
